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SLM2009

200V低压驱动芯片

样（yàng）片申（shēn）请

SLM2009 Datasheet

产品（pǐn）概述（shù）

产品（pǐn）特性

安规认证（zhèng）

典型（xíng）应用图（tú）

产品概述（shù）

SLM2009 是一款高压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器。采用专有的（de）高压集成电路和锁（suǒ）存免疫的CMOS技术可提供可靠的（de）单芯片驱动方案。逻辑输入电平（píng）与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低支持3.3V逻（luó）辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，以减小驱动器交叉导通（tōng）。浮动通道可用（yòng）于驱动（dòng）高边（biān）配置的N型（xíng）沟道功（gōng）率MOSFET或（huò）IGBT，工作电压可高达200V。

产品特性（xìng）

为自（zì）举操作（zuò）设计的浮动通道

完全运行（háng）时电压高（gāo）达（dá） 200V

容许瞬间负电压，不受 dV/dt 影响

驱（qū）动电源范围从 10V 到 18V

欠压闭锁

3.3V、5V 逻辑输入（rù）兼容

驱动电流：1A/1.5A

防止交叉导（dǎo）通逻辑

两通道（dào）间匹配传输延（yán）迟

输出信号与输入（rù）信号同（tóng）相

通过无铅认证