SLM27511器（qì）件是单通道高速低边（biān）门极（jí）驱动器，可有效（xiào）驱动MOSFET和（hé）IGBT等功率开关。SLM27511采（cǎi）用（yòng）一种能够从内部极（jí）大的降低（dī）直通（tōng）电流的设计，将高峰值的源电流（liú）和灌电流（liú）脉冲（chōng）提供（gòng）给电容（róng）负载，以实现轨到轨的（de）驱动能力和典型值仅（jǐn）为 18ns 的极小传（chuán）播延迟。
SLM27511在（zài）12V的VDD供电情况下，能（néng）够提供4A的峰值源电流和5A的峰值灌（guàn）电（diàn）流（liú）。
低（dī）成本的门极（jí）驱动方（fāng）案可用于替代 NPN和 PNP 分（fèn）离器（qì）件方（fāng）案
4A 的（de）峰值源（yuán）电（diàn）流和5A的（de）峰值灌电流能力
快（kuài）速（sù）的传（chuán）输（shū）延（yán）时（典型值为（wéi） 18ns）
快（kuài）速的上升和下降时间（典型值为 7ns/5ns）
4.5V 到（dào） 20V 的单电（diàn）源范（fàn）围（wéi）
VDD 欠压闭锁功能
兼容 TTL 和 CMOS 的输入逻辑电（diàn）压阈值（zhí）
双输入（rù）设计(可选择反相或非反相驱动配置)
输（shū）入浮（fú）空时输出保持为低
工作（zuò）温度范围为 -40°C 到140°C
提供 SOT23-6 的封装（zhuāng）选（xuǎn）项
400 080 9938
