SiLM27519 器件是单通（tōng）道高速低边门极驱动器，可有效驱动 MOSFET 和 IGBT 等功率开关。SiLM27519 采用一种能够从内部极大（dà）的（de）降低（dī）直通电流的（de）设（shè）计，将（jiāng）高峰值的源电流和灌电流脉冲提供给电容负载，以（yǐ）实现轨到轨的驱动能力和典型值仅为（wéi） 18ns 的极小传（chuán）播延迟。
SiLM27519 在 12V 的 VDD 供（gòng）电情况下，能够（gòu）提供 4A 的峰值源电流和 5A 的峰（fēng）值灌电流。
低成本的门极驱（qū）动（dòng）方案可（kě）用于替代 NPN 和 PNP 分离器件方案
4A 的峰值源电流和（hé） 5A 的峰值灌电（diàn）流能力
快速的传输（shū）延时（典型（xíng）值为 18ns）
快（kuài）速的上升和下降时间（典型值（zhí）为 7ns/5ns）
4.5V 到 20V 的（de）单电源范围
VDD 欠压（yā）闭锁功能
兼容 TTL 和（hé） CMOS 的输入逻辑电压阈值
双输入设计(可选择反相或非反（fǎn）相驱动配置（zhì）)
输入浮空时输出保（bǎo）持为低
工作温度（dù）范围为（wéi） -40°C 到140°C
提供（gòng） SOT23-5 的封装（zhuāng）选项
400 080 9938
