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SiLM2024

200V, 290/600mA 半桥驱动

样片（piàn）申（shēn）请（qǐng）

SiLM2024 Datasheet

产品概述

产品特性

安（ān）规认证（zhèng）

典型应用图

产品概述（shù）

SiLM2024 是一款（kuǎn）高压、高（gāo）速（sù）的功率MOSFET和IGBT驱（qū）动器（qì）。采用专有（yǒu）的高（gāo）压集成电路和锁存免疫的CMOS技术（shù）可提（tí）供可靠的（de）单芯片驱动方案。逻辑输入电平与标准CMOS或LSTTL输出兼容（róng），最低支持3.3V逻辑。输出驱动器具有高（gāo）脉冲电流（liú）缓冲级，以减小（xiǎo）驱动器交叉导通。浮动通道可（kě）用（yòng）于驱动高边配置的N型沟道功率MOSFET或IGBT，工作（zuò）电压（yā）可高达200V。

产品特性

为（wéi）自举操（cāo）作设（shè）计的浮动通道（dào）

完全（quán）运行（háng）时电压高（gāo）达 200V

容许瞬间负电压，不（bú）受 dV/dt 影（yǐng）响

驱（qū）动（dòng）电（diàn）源范围从 10V 到（dào） 20V

欠压闭锁

3.3V、5V、15V逻辑输入兼容（róng）

驱动电流：290mA/600mA

典型的开（kāi）通（tōng）/关断延时（shí）：680 ns/150 ns

死（sǐ）区时（shí）间：520 ns

防止交叉导（dǎo）通逻辑

两通（tōng）道（dào）间（jiān）匹配传输延迟