SiLM2660/61是用于电（diàn）池充电/放电系统控制的低功耗、高边N沟道（dào）FET驱动器。高边保护功（gōng）能可避免系统的接地引脚断开（kāi）连接，以确保电（diàn）池组和主机（jī）系统之间的持续通信。SiLM2660具有额外的PFET控制输出，以允许对深（shēn）度放电的电池（chí）进行（háng）低电（diàn）流预充电，并且还集（jí）成（chéng）了用于主（zhǔ）机（jī）监控（kòng）的电池PACK+电压（yā）检测（cè）。
独立的使（shǐ）能输（shū）入接口允许电池充（chōng）电和放电FET分别导通和（hé）关（guān）断，为电池系（xì）统保护提供可靠（kào）性和（hé）设（shè）计（jì）灵活性。
高边NFET驱动器（qì），具有极短的开启和关闭时（shí）间，用于迅（xùn）速保护电池。
预充电PFET驱（qū）动器为深（shēn）度耗尽的电池组提供电流（liú）限制的预充电功（gōng）能（néng）(仅（jǐn）适（shì）用于SiLM2660)。
充（chōng）电（diàn）和放电（diàn）的独立使能（néng）控制。
基于（yú）外部电容器可扩展的电荷泵，可适（shì）用多颗NFET并（bìng）联驱动。
高的输入耐压值（最大100V）。
可配置的电（diàn）池（chí）组（zǔ）电压检（jiǎn）测功能（仅适（shì）用（yòng）于SiLM2660）。
支持可配置的（de）通用和独（dú）立充电和（hé）放电路径管理。
低（dī）功耗（hào）：正常模式：40uA；待（dài）机模（mó）式：小于10uA。
400 080 9938
